不平衡磁控溅

不平衡磁控溅射,是指阴极内外磁极部分的磁通量不等.不平衡磁场的作用是捕获从目标表面逸出的快速移动的二次电子.这些电子与远离靶材表面的中性气体原子发生电离碰撞,并在衬底区域产生更多的离子和更多的电子,从而大大增加了衬底离子轰击.由于不平衡磁控溅射的发展,薄膜的质量大大提高.

射频 (RF) 溅射

射频溅射是利用射频放电等离子体中的溅射靶材轰击靶材,溅射靶材原子沉积在接地基板表面的技术.将负电位施加到放置在绝缘目标背面的导体上.在辉光放电的等离子体中,当正离子加速到导板时,前绝缘靶受到轰击和溅射.溅射只能维持10-7秒,之后绝缘靶板上积累的正电子抵消了导体板上的负电位,从而停止了高能正离子对绝缘靶的轰击.此时,如果电源极性接反,电子将轰击绝缘板并在10-9秒内中和绝缘板上的正电荷使其为零.而如果再次将电源极性接反,可产生10-7秒的溅射.

直流(DC)磁控溅射

磁控溅射镀膜装置在直流溅射阴极靶上加上磁场,利用磁场的洛伦兹力束缚和延长电子在电场中的轨迹,增加电子与气体原子的碰撞机会以及气体原子的电离,增加了轰击目标的高能离子,减少了轰击镀层基板的高能电子.

离子束溅射

离子束溅射 (IBS) 是一种薄膜沉积技术,它使用离子源将溅射靶材沉积到基板上,以生产具有出色精度的最高质量薄膜.与其他溅射方法相比,离子束溅射精度更高,可以准确控制基板的厚度.通常由离子枪产生的离子束聚焦在溅射靶上,溅射靶材料最终沉积在基板上以形成薄膜.

反应磁控溅射

反应溅射是一种通过引入反应气体(氧气或氮气)来沉积化合物薄膜的工艺.它通常用于溅射氧化物、氮化物、碳化物和三者的混合物.

在反应溅射过程中,反应气体与溅射镀膜靶发生化学反应,随后沉积在基板上.反应溅射工艺的目的是制造化学计量和结构受到严格控制的薄膜.通过控制惰性气体和反应性气体的相对量,可以实现对所得薄膜的组成控制.