今日热点

1. SK海力士将238层V8 NAND嫁接到UFS 4.0 最快明年上半年量产

2. 4nm良率提升，三星计划Q4启动扩产

3. 机构：7月前五大笔记本厂商出货量大跌三成

4. 半导体代工市场Q2实现两位数的收益增长

5. 上海新阳：KrF光刻胶产品已进入国内主流芯片制造公司

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SK海力士将238层V8 NAND嫁接到UFS 4.0 最快明年上半年量产

据韩媒TheElec消息，SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存，这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准，与传统的MMC（多媒体卡）相比，数据处理速度和电源效率要高得多。

UFS 4.0 是今年 5 月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为 23.2 Gbps，是之前 UFS 3.1 的两倍。

SK海力士也制定了UFS 4.0内存的具体开发计划。SK海力士将在UFS 4.0内存上搭载V7和V8 NAND作为主力。其中，V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND，与前几代176层相比，传输速度更加出色。与传统的封装相比，TLC 4D封装技术在减少单位单元面积的同时，生产效率更高也是主要特点。

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4nm良率提升，三星计划Q4启动扩产

据韩媒Infostock Daily报道，三星电子4nm良率提升，将在今年第四季扩产4nm产能，月产能将由目前的 1.5 万片提升至 2 万片；市场认为，虽然近来半导体产业受库存去化干扰，但先进制程需求仍强，三星为持续拉近与台积电的距离，积极扩产先进制程。

先前高通因采三星 4nm制程生产的骁龙 8 Gen 1 良率出包、量产不顺，新一代旗舰芯片骁龙 8 Gen 1 Plus 因此转投台积电怀抱；在三星掉大单的同时，也传出其4nm良率仅约 35%，而台积电的良率则超过 70％。不过，随着三星近来因应面临周期性市况波动的内存产业，为追求营运稳定成长，将更多资源往晶圆代工业务集中，4nm良率也有所提升，并趁胜追击，积极扩产以追赶台积电。

除提升 4nm良率与产能规模外，三星 6 月底也宣布量产 3 nm制程，成为首家导入 3nm GAA(环绕闸极技术) 的公司，与台积电在先进制程上的竞争趋于白热化。

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机构：7月前五大笔记本厂商出货量大跌三成

据DIGITIMES Research的最新数据显示，在全球经济恶化继续削弱市场需求。全球前5大笔记本电脑品牌（不包括苹果）在7月份的总出货量环比下滑28%，同比下滑超过30%。联想仍然是7月出货量最大的笔记本品牌，惠普的月度出货量下降幅度小于联想。戴尔7月在前五名中出货量降跌幅最小。

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半导体代工市场Q2实现两位数的收益增长

据市场调研机构Strategy Analytics数据，2022年Q2半导体代工市场实现了两位数的收益增长。除英特尔外，其他晶圆代工厂均取得增长。台积电取得两位数的晶圆出货量增长，但其在成熟节点定价方面落后。格芯晶圆ASP目前接近3000美元。台积电和格芯均降低了资本支出，中芯国际和联华电子则保持预期。

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上海新阳：KrF光刻胶产品已进入国内主流芯片制造公司

近日，上海新阳在接受机构调研时表示，公司自主研发的光刻胶产品目前已有销售，其中KrF光刻胶产品通过认证的客户数量不断增加，已进入国内主流芯片制造公司，六月份开始批量连续供货，ArF光刻胶目前处于客户端认证阶段。用于存储器产品的蚀刻清洗液增长较多，且下一代蚀刻清洗液产品的技术迭代推进顺利，用于晶圆制造铜工艺的14nm清洗液产品实现量产。目前合肥一期项目基建工程已进入收尾阶段，机电安装正在进行中，预计三季度结束，年底进入试生产的阶段。